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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理

交流作用下。在正半周時(shí)，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時(shí)所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

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當(dāng)過電壓幅值高于規(guī)定電流下的電壓，過電流幅值小于壓敏電阻器的頂峰值電流時(shí)(若無壓敏電阻器足以使設(shè)備元器件破壞)，壓敏電阻器處于擊穿區(qū)，可將過電壓瞬時(shí)限制在很低的幅值上，此時(shí)通過壓敏電阻器的浪涌電流幅值不大(<100A/cm2),不足以對(duì)壓敏電阻器產(chǎn)生劣化；當(dāng)過電壓幅值很高時(shí)，壓敏電阻器將過電壓限制在較低的水平上(小于設(shè)備的耐壓水平)，同時(shí)通過壓敏電阻器的沖擊電流很大，使壓敏電阻器性能劣化即將失效，這時(shí)通過熔斷器的電流很大，熔斷器斷開，這樣既可使電器設(shè)備、元器件免受過電壓沖擊，也可避免由于壓敏電阻器的劣化擊穿造成線路L-N、L-PE之間短路

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